Območje delovne napetosti: običajne visoko{0}}napetostne diode lahko prenesejo napetosti od 200 V do 10 kV, medtem ko lahko posebni procesni modeli dosežejo napetost nad 30 kV.
Razlike v materialu: Naprave, ki temeljijo-na siliciju, imajo običajno povratno prebojno napetost za 2-3 velikosti višjo kot naprave na osnovi germanija.
Temperaturni koeficient: Za vsakih 10 stopinj dviga temperature okolja se lahko vzdržna napetost zmanjša za 5%-8%.
